Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… … Wikipedia
Silicon on Sapphire — (SoS) ist eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus Silizium auf dem isolierenden Substrat Saphir (engl. Silicon on Sapphire). Die integrierten Schaltkreise werden in einem heteroepitaxialer Prozess hergestellt, bei dem eine dünne… … Deutsch Wikipedia
Silicon-on-Sapphire — Querschnitt durch einen Transistor in einem integrierten Schaltkreis auf einem SOS Substrat Silicon on sapphire (SOS, englisch, dt.: ‚Silizium auf Saphir‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus… … Deutsch Wikipedia
Silicon on Insulator — Der englische Begriff silicon on insulator (SOI, deutsch „Silizium auf einem Isolator“) bezeichnet eine Herstellungstechnologie für Schaltkreise auf Basis von Silizium Substraten. Diese befinden sich auf einem isolierenden Material, wodurch sich… … Deutsch Wikipedia
Silicon on insulator — technology (SOI) refers to the use of a layered silicon insulator silicon substrate in place of conventional silicon substrates in semiconductor manufacturing, especially microelectronics, to reduce parasitic device capacitance and thereby… … Wikipedia
Silizium-auf-Saphir-Wafer — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… … Radioelektronikos terminų žodynas
Silicon carbide — Chembox new Name = Silicon carbide ImageFile = Silicon carbide 3D balls.png ImageSize = 140px ImageName = Ball and stick model of part of a crystal of SiC ImageFile1 = silicon carbide detail.jpg ImageSize1 = 140px OtherNames = Section1 = Chembox… … Wikipedia
silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur saphir, f … Radioelektronikos terminų žodynas
tranche à structure silicium-sur-saphir — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… … Radioelektronikos terminų žodynas
сапфировая пластина со слоем кремния — silicio sluoksniu dengta safyro plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire wafer vok. Silizium auf Saphir Wafer, m rus. сапфировая пластина со слоем кремния, f pranc. tranche à structure silicium sur… … Radioelektronikos terminų žodynas
